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MDS1100 Especificaciones técnicas
TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Supplier Device Package | 55TU-1 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 200°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 1.03GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 8750W |
Package / Case | 55TU-1 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 8.9dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
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Las siguientes partes incluyen 'MDS11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MDS110-16 | IGBT Module | Módulos IGBT | 2661 |
MDS1100 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MDS110A1600V | SILING | CIs Calientes Especializados | 2983 |
MDS110L | MICROSE | CIs Calientes Especializados | 27 |
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