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KSP27TA
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KSP27TA Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO-92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
KSP27TA Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para KSP27TA
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Hojas de datos
KSP27TA.pdf
Otros incluyen "KSP27" partes
Las siguientes partes incluyen 'KSP27'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
KSP27BU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2577 |
KSP27BU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2612 |
KSP27TA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 20315 |
KSP27TA | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
KSP27TA | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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