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KSB1366G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 3A TO-220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-220F
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 9MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSB13060 IGBT Module Módulos IGBT 2855
KSB1366G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2699
KSB1366G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSB1366G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
KSB1366GTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2508
KSB1366GTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2720
KSB1366GTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSB1366Y Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2608
KSB1366Y AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2514
KSB1366YTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1139

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