JANSR2N2907AUB Especificaciones técnicas

BJTS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Series Military, MIL-PRF-19500/291
Package / Case 3-SMD, No Lead
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package UB
Power - Max 500mW
Other Names JANSR2N2907AUBMS
Mounting Type Surface Mount
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Surface Mount UB
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JANSR2N2221AUB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2781
JANSR2N2222AUB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
JANSR2N2222AUB Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
JANSR2N2369AUB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2788
JANSR2N2484UB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2612
JANSR2N2907AUB Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
JANSR2N2920U Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2708
JANSR2N2920U Microsemi Corporation Matrices BJT Transistores
JANSR2N3440 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2701
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