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IXYT30N65C3H1HV Especificaciones técnicas

IGBT 650V 60A 270W TO268HV

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 1mJ (on), 270µJ (off)
Series GenX3™, XPT™
Power - Max 270W
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 118A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 21ns/75ns
Supplier Device Package TO-268
Reverse Recovery Time (trr) 120ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 44nC
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
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IXYT30N65C3H1HV Documentos

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXYT30N450HV IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 0
IXYT30N450HV IXYS IGBTs individuales
IXYT30N65C3H1HV IXYS IGBTs individuales

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