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IXXP12N65B4D1
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IXXP12N65B4D1 Especificaciones técnicas
IGBT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 12A, 20 Ohm, 15V |
Switching Energy | 440µJ (on), 220µJ (off) |
Series | XPT™, GenX4™ |
Power - Max | 160W |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 24 Weeks |
IGBT Type | - |
Detailed Description | IGBT 650V 38A 160W Through Hole TO-220 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 38A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 12A |
Td (on/off) @ 25°C | 13ns/158ns |
Supplier Device Package | TO-220 |
Reverse Recovery Time (trr) | 43ns |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 34nC |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 70A |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXXP12N65B4D1
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXXP12N65B4D1 | IXYS | IGBTs individuales |
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