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IXTY08N100P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTY01N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2766
IXTY01N100D IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2526
IXTY01N80 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2790
IXTY02N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1084
IXTY02N50D IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2517
IXTY02N50D TRL IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2622
IXTY06N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2685
IXTY08N100D2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2546
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