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IXTT6N120 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 Ohm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1950pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Otros incluyen   "IXTT6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTT6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTT60N10 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2509
IXTT60N20L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2755
IXTT64N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2516
IXTT68P20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2606
IXTT69N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2724
IXTT6N120 IXYS Transistores MOSFET individuales

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