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IXGN200N170 Especificaciones técnicas

IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Test Condition 850V, 100A, 1 Ohm, 15V
Switching Energy 28mJ (on), 30mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 133ns
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Input Type Standard
Gate Charge 540nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 1050A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A
Td (on/off) @ 25°C 37ns/320ns
Supplier Device Package SOT-227B
Power - Max 1250W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 1700V 280A 1250W Chassis Mount SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max) 280A
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Otros incluyen   "IXGN2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXGN2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGN200N06 IXYS Módulos IGBT 2900
IXGN200N07 IXYS Módulos IGBT 2908
IXGN200N170 IXYS IGBTs individuales
IXGN200N50B Vicor CIs Especializados 1339
IXGN200N60 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 2772
IXGN200N60 IXYS Módulos IGBT
IXGN200N60A IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 1443
IXGN200N60A IXYS Módulos IGBT
IXGN200N60A2 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 1298
IXGN200N60A2 IXYS Módulos IGBT

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