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IXFR18N90P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 1mA
Supplier Device Package ISOPLUS247™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5230pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case ISOPLUS247™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Tc)
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IXFR18N90P Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFR18N90P

Otros incluyen   "IXFR1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFR1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFR100N25 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2887
IXFR100N25P IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 30
IXFR102N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2606
IXFR10N100F IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2878
IXFR10N100Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
IXFR120N20 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2909
IXFR12N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2559
IXFR12N100F IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2761
IXFR12N100Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2977
IXFR12N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2626

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