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IXFR12N100
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IXFR12N100 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Supplier Device Package | ISOPLUS247™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 6A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | ISOPLUS247™ |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
IXFR12N100 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFR12N100
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Hojas de datos
Otros incluyen "IXFR1" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFR1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFR100N25 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2887 |
IXFR100N25P | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 30 |
IXFR102N30P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2606 |
IXFR10N100F | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2878 |
IXFR10N100Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2728 |
IXFR120N20 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2909 |
IXFR12N100F | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2761 |
IXFR12N100Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2977 |
IXFR12N120P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2626 |
IXFR13N50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2786 |
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