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IXFN56N90P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 3mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 1000W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 375nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 28A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A
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Otros incluyen   "IXFN5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFN5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN50N120SIC IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3789
IXFN50N120SK IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4784
IXFN50N180Q2 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2968
IXFN50N25 IXYS Módulos IGBT 2790
IXFN50N49 IXYS Módulos IGBT 2948
IXFN50N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1270
IXFN50N50 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFN50N60 IXYS Módulos IGBT 2907
IXFN50N60U1 IXYS Módulos IGBT 2584
IXFN50N60UI IXYS Módulos IGBT 2926

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