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IXFN50N120SIC
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IXFN50N120SIC Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA |
Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 40A, 20V |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Detailed Description | N-Channel 1200V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | +20V, -5V |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Power Dissipation (Max) | - |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 32 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 20V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
IXFN50N120SIC Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFN5" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFN5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFN50N120SK | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4784 |
IXFN50N180Q2 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2968 |
IXFN50N25 | IXYS | Módulos IGBT | 2790 |
IXFN50N49 | IXYS | Módulos IGBT | 2948 |
IXFN50N50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1270 |
IXFN50N50 | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFN50N60 | IXYS | Módulos IGBT | 2907 |
IXFN50N60U1 | IXYS | Módulos IGBT | 2584 |
IXFN50N60UI | IXYS | Módulos IGBT | 2926 |
IXFN50N80 | IXYS | Módulos IGBT | 2911 |
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