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IXFN520N075T2
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IXFN520N075T2 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ |
Power Dissipation (Max) | 940W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 545nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 41000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 480A |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFN50N120SIC | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3789 |
IXFN50N120SK | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4784 |
IXFN50N180Q2 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2968 |
IXFN50N25 | IXYS | Módulos IGBT | 2790 |
IXFN50N49 | IXYS | Módulos IGBT | 2948 |
IXFN50N50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1270 |
IXFN50N50 | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFN50N60 | IXYS | Módulos IGBT | 2907 |
IXFN50N60U1 | IXYS | Módulos IGBT | 2584 |
IXFN50N60UI | IXYS | Módulos IGBT | 2926 |
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Propósito Especial
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