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IXFK360N10T
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IXFK360N10T Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 3mA |
Supplier Device Package | TO-264AA (IXFK) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 100A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 33000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | GigaMOS™ HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 1250W (Tc) |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 525nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 360A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFK3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFK3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFK300N20X3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2748 |
IXFK30N100Q2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2862 |
IXFK30N110P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4543 |
IXFK30N50Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2806 |
IXFK320N17T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3789 |
IXFK320N17T2 | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFK32N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2747 |
IXFK32N100Q3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 752 |
IXFK32N50 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2736 |
IXFK32N50Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2836 |
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