IXFK320N17T2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 170V 320A TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™
Power Dissipation (Max) 1670W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 640nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 170V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 45000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 320A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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IXFK30N100Q2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2862
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IXFK30N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2806
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IXFK32N50 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2736
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