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IXFK24N100 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 560W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 267nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
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IXFK24N100 Documentos

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Otros incluyen   "IXFK2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFK2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFK200N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2800
IXFK20N120 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2460
IXFK20N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2631
IXFK20N80Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2801
IXFK210N17T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736
IXFK210N30X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 474
IXFK21N100 IXFK CIs Calientes Especializados 2727
IXFK21N100F IXYS RF Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3248
IXFK21N100F IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2831
IXFK21N100F IXYS Transistores MOSFET individuales

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