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IXFK20N120P
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IXFK20N120P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | TO-264AA (IXFK) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11100pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
Power Dissipation (Max) | 780W (Tc) |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 193nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IXFK2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFK200N10P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2800 |
IXFK20N120 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2460 |
IXFK20N80Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2801 |
IXFK210N17T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2736 |
IXFK210N30X3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 474 |
IXFK21N100 | IXFK | CIs Calientes Especializados | 2727 |
IXFK21N100F | IXYS RF | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3248 |
IXFK21N100F | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2831 |
IXFK21N100F | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFK21N100Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2786 |
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