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IXFB82N60P
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IXFB82N60P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Supplier Device Package | PLUS264™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 41A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
Power Dissipation (Max) | 1250W (Tc) |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFB82N60P
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFB8" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFB8'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFB80N50 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2915 |
IXFB80N50Q | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2888 |
IXFB80N50Q2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2996 |
IXFB82N60P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFB82N60Q3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2653 |
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