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IXFA4N100P
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IXFA4N100P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-263 (IXFA) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 2A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1456pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFA4" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFA4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFA4N100P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFA4N100P TRL | IXYS | CIs Calientes Especializados | 2677 |
IXFA4N100Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1237 |
IXFA4N100Q | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFA4N100Q-TRL | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2683 |
IXFA4N60P3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2756 |
IXFA4N85X | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2610 |
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