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IXER35N120D1
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IXER35N120D1 Especificaciones técnicas
IGBT 1200V 50A 200W TO247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 35A, 39 Ohm, 15V |
Switching Energy | 5.4mJ (on), 2.6mJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 150nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 35A |
Td (on/off) @ 25°C | - |
Supplier Device Package | ISOPLUS247™ |
Power - Max | 200W |
Package / Case | ISOPLUS247™ |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXER35N120D1 | IXYS | IGBTs individuales |
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