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IXA12IF1200TC-TUB Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 20A 85W TO268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer IXYS
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Active
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 350ns
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Gate Charge 27nC
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 85W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 10A, 100 Ω, 15V
IGBT Type PT
Switching Energy 1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXA12IF1200HB IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2747
IXA12IF1200HB IXYS IGBTs individuales
IXA12IF1200PB IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2786
IXA12IF1200PB IXYS IGBTs individuales
IXA12IF1200TC IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2557
IXA12IF1200TC IXYS IGBTs individuales

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