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IXA12IF1200PB Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 20A 85W TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 10A, 100 Ohm, 15V
Switching Energy 1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 350ns
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 27nC
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-220AB
Power - Max 85W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXA12IF1200HB IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2747
IXA12IF1200HB IXYS IGBTs individuales
IXA12IF1200PB IXYS IGBTs individuales
IXA12IF1200TC IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2557
IXA12IF1200TC IXYS IGBTs individuales
IXA12IF1200TC-TUB IXYS IGBTs individuales

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