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IRLD014PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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IRLD014PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRLD0"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLD0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLD014 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2573
IRLD014 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2664
IRLD014PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2845
IRLD014PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRLD014PBF. IR CIs Calientes Especializados 66
IRLD024 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 369
IRLD024 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 885
IRLD024 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRLD024PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3020
IRLD024PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3657

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