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IRFUC20PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-251AA
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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IRFUC20PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRFUC"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFUC' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFUC020PBF IR CIs Calientes Especializados 944
IRFUC20 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40436
IRFUC20 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40436
IRFUC20 MOS IR CIs Calientes Especializados 22149
IRFUC20PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11934
IRFUC20PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFUC20PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 1251

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