IRFPE50PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 4.7A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFPE50PBF
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247-3
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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IRFPE30 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14171
IRFPE30PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 693
IRFPE30PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3033
IRFPE40 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2975
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