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IRFPE30PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFPE30PBF
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247-3
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
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IRFPE30PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRFPE"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFPE30 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6738
IRFPE30 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14171
IRFPE30PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 693
IRFPE40 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2975
IRFPE40 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 503
IRFPE40PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2981
IRFPE40PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 526
IRFPE40PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFPE50 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 414
IRFPE50 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3212

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