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IRFI510GPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 2.7A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFI510GPBF
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 4.5A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) 27W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFI5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFI5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFI510 IR CIs Calientes Especializados 5555
IRFI510G Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2668
IRFI510G Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2628
IRFI510GPBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5085
IRFI510GPBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFI510GPBF MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5581
IRFI520 IR CIs Calientes Especializados 5645
IRFI520G Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3789
IRFI520G Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3789
IRFI520GPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4200

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