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IRF9910PBF
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IRF9910PBF Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Series | HEXFET® |
Power - Max | 2W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A, 12A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IRF99'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF9910 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2291 |
IRF9910 | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
IRF9910PBF | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
IRF9910PBF | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
IRF9910PBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 14232 |
IRF9910TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2724 |
IRF9910TR | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
IRF9910TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 65472 |
IRF9910TRPBF | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
IRF9910TRPBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 3529 |
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