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HN1A01F-GR(TE85L,F Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package SM6
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 125°C (TJ)
Frequency - Transition 80MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Las siguientes partes incluyen  'HN1A0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HN1A01F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2588
HN1A01F-GR TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2973
HN1A01F-GR(TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3500
HN1A01F-GR(TE85L,F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3500
HN1A01F-GR(TE85LF) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3500
HN1A01F-V TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3000
HN1A01F-Y TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2973
HN1A01F-Y TE85LF TOSHIBA CIs Calientes Especializados 6500
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2683
HN1A01F-YTE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 22000

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