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FSB660 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 2A SSOT-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 500mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package 3-SSOT
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 75MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FSB660 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 21211
FSB660 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
FSB660 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
FSB660A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 23893
FSB660A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 25793
FSB660A ON Semiconductor Transistores BJT individuales
FSB660A IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 358
FSB660A-NL FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 7166

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