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FQN1N50CBU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 190mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 380mA (Tc)
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Otros incluyen   "FQN1N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQN1N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQN1N50BCU Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 90283
FQN1N50C VB CIs Calientes Especializados 5000
FQN1N50CBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2644
FQN1N50CBU Rochester Electronics, LLC FQN1N50CBU
FQN1N50CTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 85855
FQN1N50CTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2413
FQN1N50CTA ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQN1N60C F CIs Calientes Especializados 5000
FQN1N60CBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2724
FQN1N60CBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2695

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