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FQI3N30TU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 1.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 55W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
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Otros incluyen   "FQI3N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQI3N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQI3N25 FSC CIs Calientes Especializados 2788
FQI3N25TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2381
FQI3N25TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3006
FQI3N30 FSC CIs Calientes Especializados 2609
FQI3N30TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1431
FQI3N30TU Rochester Electronics, LLC FQI3N30TU
FQI3N40TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2656
FQI3N40TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2547
FQI3N80 FSC CIs Calientes Especializados 8000
FQI3N80TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2615

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