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FQI2N80TU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
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Otros incluyen   "FQI2N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQI2N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQI2N30 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 5400
FQI2N30TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2546
FQI2N30TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2529
FQI2N50TU FSC CIs Calientes Especializados 2755
FQI2N80 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2549
FQI2N80A FSC CIs Calientes Especializados 701
FQI2N80TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
FQI2N80TU Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
FQI2N90 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2539
FQI2N90TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2772

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