FDS3601 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 900mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SO
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 1.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDS3601 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 7650
FDS3601 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
FDS3601 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDS3601 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 80360
FDS3601-NL F CIs Calientes Especializados 16071
FDS3601N F CIs Calientes Especializados 17585
FDS3601N MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 17920
FDS3601_NL Original CIs Calientes Especializados 514
FDS3612 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 916
FDS3612 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3246

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