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FDD5810
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FDD5810 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 32A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | FDD5810TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Ta), 37A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 60V 7.4A (Ta), 37A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252) |
FDD5810 Documentos
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Hojas de datos
FDD5810.pdf
Otros incluyen "FDD58" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDD58'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDD5810 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25004 |
FDD5810 | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
FDD5810 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 383 |
FDD5810-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
FDD5810-F085 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDD5810_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 50315 |
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