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EMZ1DXV6T5
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EMZ1DXV6T5 Especificaciones técnicas
TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN, PNP |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 180MHz, 140MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "EMZ1D" partes
Las siguientes partes incluyen 'EMZ1D'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EMZ1DXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 4684 |
EMZ1DXV6T1 | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
EMZ1DXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Matrices BJT Transistores | |
EMZ1DXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2693 |
EMZ1DXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
EMZ1DXV6T1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices BJT Transistores | |
EMZ1DXV6T5 | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
EMZ1DXV6T5 | Rochester Electronics, LLC | Matrices BJT Transistores | |
EMZ1DXV6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2654 |
EMZ1DXV6T5G | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores |
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