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EMC5DXV5T1
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EMC5DXV5T1 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k, 10k |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | SOT-553 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-553 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k, 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "EMC5D" partes
Las siguientes partes incluyen 'EMC5D'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EMC5DXV5T1 | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
EMC5DXV5T1 | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
EMC5DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 11267 |
EMC5DXV5T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT |
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