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DRA2L14Y0L Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Panasonic
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 330µA, 50mA
Supplier Device Package Mini3-G3-B
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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DRA2L14Y0L Panasonic Electronic Components Transistores BJT Pre-Biasados

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