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CYD18S18V18-167BBAXI Especificaciones técnicas

IC SRAM 18MBIT 167MHZ 256FBGA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Speed 167MHz
Package / Case 256-LBGA
Memory Type Volatile
Memory Format SRAM
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 256-FBGA (17x17)
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Size 18Mb (1M x 18)
Interface Parallel
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
CYD18S18V18-167BBAXI Cypress Semiconductor Corp Memoria
CYD18S18V18-200BBAXC Cypress Semiconductor Memoria 2571
CYD18S18V18-200BBAXC Cypress Semiconductor Corp Memoria
CYD18S18V18-200BBAXI Cypress Semiconductor Memoria 2647
CYD18S18V18-200BBAXI Cypress Semiconductor Corp Memoria
CYD18S36V18-167BBAI Cypress Semiconductor Memoria 2480
CYD18S36V18-200BBAXI Cypress Semiconductor Memoria 2696
CYD18S36V18-200BBAXI Cypress Semiconductor Corp Memoria
CYD18S36V25-167BBC CYPRESS CIs Calientes Especializados 683
CYD18S72V-100BBC Cypress Semiconductor Memoria 2713

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