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BSP88E6327 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 350mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 95pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 240V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSP88 INF CIs Calientes Especializados 35786
BSP88 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 32435
BSP88 L6327 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3276
BSP88 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2608
BSP88E6327 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
BSP88H6327 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1237
BSP88H6327 IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 863
BSP88H6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2657
BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSP88L6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783

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