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BSP19AT1 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 350V 0.1A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
Transistor Type NPN
Power - Max 800mW
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 70MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
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Las siguientes partes incluyen  'BSP19' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSP19 NXP CIs Calientes Especializados 21096
BSP19 MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 1447
BSP19,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2650
BSP19,115 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BSP19@115 NXP CIs Calientes Especializados 2621
BSP19AT1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BSP19AT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BSP19AT1 MOS MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2353
BSP19AT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5487
BSP19AT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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