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BFU710F,115 Especificaciones técnicas

TRANSISTOR NPN SOT343F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2.8V
Supplier Device Package 4-DFP
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 43GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 10mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 136mW
Package / Case SOT-343F
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Gain -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 2V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BFU710F NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 3204
BFU710F,115 NXP USA Inc. Transistores BJT RF

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