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BDW42
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BDW42 Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 85W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 50mA, 10A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 4MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
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Otros incluyen "BDW42" partes
Las siguientes partes incluyen 'BDW42'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BDW42 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
BDW42 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
BDW42C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 47 |
BDW42G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2764 |
BDW42G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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