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BDV64C-S
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BDV64C-S Especificaciones técnicas
TRANS PNP DARL 120V 12A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Bourns, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Power - Max | 3.5W |
Package / Case | TO-218-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 20mA, 5A |
Supplier Device Package | SOT-93 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
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Otros incluyen "BDV64" partes
Las siguientes partes incluyen 'BDV64'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BDV64 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2591 |
BDV64-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2500 |
BDV64-S | Bourns Inc. | BDV64-S | |
BDV64. | NEC | CIs Calientes Especializados | 66850 |
BDV64A | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1686 |
BDV64A-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2655 |
BDV64A-S | Bourns Inc. | Transistores BJT individuales | |
BDV64A. | ON/PHI | CIs Calientes Especializados | 66850 |
BDV64B | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3097 |
BDV64B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1441 |
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