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BDV64B
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BDV64B Especificaciones técnicas
POWER TRANSISTOR PNP TO218
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 125W |
Package / Case | TO-218-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Supplier Device Package | TO-218 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | - |
Frequency - Transition | 60MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BDV64B
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Hojas de datos
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Otros incluyen "BDV64" partes
Las siguientes partes incluyen 'BDV64'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BDV64 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2591 |
BDV64-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2500 |
BDV64-S | Bourns Inc. | BDV64-S | |
BDV64. | NEC | CIs Calientes Especializados | 66850 |
BDV64A | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1686 |
BDV64A-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2655 |
BDV64A-S | Bourns Inc. | Transistores BJT individuales | |
BDV64A. | ON/PHI | CIs Calientes Especializados | 66850 |
BDV64B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1441 |
BDV64B | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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