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BD135 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 45V 1.5A TO225AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.25W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD135 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 115080
BD135 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD135 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BD135-16 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 7713
BD135-16 IC CIs Calientes Especializados 3328
BD13510S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2583
BD13510S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2770
BD13510S ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD13510STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2869
BD13510STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1615

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