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APT8M100B
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APT8M100B Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1885pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
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Las siguientes partes incluyen 'APT8M'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT8M100B | Microsemi Corporation | Transistores MOSFET individuales | |
APT8M80K | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2671 |
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