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APT68GA60LD40
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APT68GA60LD40 Especificaciones técnicas
IGBT 600V 121A 520W TO-264
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
Switching Energy | 715µJ (on), 607µJ (off) |
Series | POWER MOS 8™ |
Power - Max | 520W |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | PT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 202A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
Td (on/off) @ 25°C | 21ns/133ns |
Supplier Device Package | TO-264 [L] |
Reverse Recovery Time (trr) | 22ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 198nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 121A |
APT68GA60LD40 Documentos
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'APT68'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT68GA60B | Microsemi | Transistores - IGBTs - Individual | 2679 |
APT68GA60B | Microsemi Corporation | IGBTs individuales | |
APT68GA60B2D40 | Microsemi | Transistores - IGBTs - Individual | 2528 |
APT68GA60B2D40 | Microsemi Corporation | IGBTs individuales | |
APT68GA60LD40 | Microsemi Corporation | IGBTs individuales |
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