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APT27GA90BD15
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APT27GA90BD15 Especificaciones técnicas
IGBT 900V 48A 223W TO247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Test Condition | 600V, 14A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 413µJ (on), 287µJ (off) |
Power - Max | 223W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | PT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 79A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 14A |
Td (on/off) @ 25°C | 9ns/98ns |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 62nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 48A |
APT27GA90BD15 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para APT27GA90BD15
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Hojas de datos
1.APT27GA90BD15.pdf 2.APT27GA90BD15.pdf
Otros incluyen "APT27" partes
Las siguientes partes incluyen 'APT27'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT27G90BD15 | APT | CIs Calientes Especializados | 2750 |
APT27GA90BD15 | Microsemi Corporation | IGBTs individuales | |
APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 40000 |
APT27ZTR-G1 | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 129291 |
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